Western Digital amplia liderança em armazenamento com tecnologia BiCS5 3D NAND
Salvador, 22/02/2020 – A Western Digital, líder em infraestrutura de dados, desenvolveu com sucesso a quinta geração da tecnologia 3D NAND, a BiCS5, mantendo a liderança da empresa em fornecer as tecnologias de memória flash mais avançadas do setor. Construído com memórias de células de três e quatro níveis (TLC e QLC), a BiCS5 oferece capacidade, desempenho e confiabilidade excepcionais a um custo atraente, atendendo ao crescimento exponencial de dados associados a carros conectados, dispositivos móveis e inteligência artificial (AI).
A Western Digital começou a produção inicial da BiCS5 TLC em um chip de 512 gigabit (Gb) até iniciar a distribuição de unidades de consumo com a nova tecnologia. O desenvolvimento de BiCS5 em volumes comerciais significativos é esperada para o segundo semestre de 2020. A BiCS5 TLC e a BiCS5 QLC estarão disponíveis em uma gama de capacidades, incluindo 1.33 terabit (Tb).
“À medida que avançamos para a próxima década, é fundamental estabelecer uma nova abordagem para o escalonamento de 3D NAND para continuar a atender às demandas do crescente volume e velocidade dos dados”, disse Dr. Steve Paak, vice-presidente sênior de tecnologia de memória e manufatura da Western Digital. “Nossa produção bem-sucedida do BiCS5 reforça a liderança contínua da Western Digital em tecnologia de memória flash e representa uma forte execução da nossa estratégia. Ao aliar novos avanços à nossa tecnologia de memória de vários níveis para aumentar a densidade lateralmente, bem como adicionar mais camadas de armazenamento, ampliamos significativamente a capacidade e o desempenho de nossa tecnologia 3D NAND, enquanto continuamos a fornecer a confiabilidade e o custo que nossos clientes esperam.”
Construído a partir de uma vasta gama de novas tecnologias e inovações na fabricação, a BiCS5 é atualmente a tecnologia 3D NAND mais avançada e de alta densidade da Western Digital. Tecnologia de memória multicamadas de segunda geração, processos de engenharia aperfeiçoados e outros aprimoramentos de células 3D NAND aumentam significativamente a densidade da matriz celular horizontalmente em todo o wafer (placa base para processadores). Esses “avanços laterais” em combinação com 112 camadas de capacidade de memória vertical permitem que a BiCS5 ofereça até 40% mais bits de capacidade de armazenamento por wafer em comparação com a tecnologia BiCS4 de 96 camadas da Western Digital, além de também otimizar o custo. Novos aprimoramentos de design também aceleram o desempenho, permitindo que o BiCS5 ofereça desempenho de I/O até 50% mais rápido em comparação com o BiCS4.
A BiCS5 foi desenvolvida em parceria com a Kioxia Corporation. A tecnologia será produzida em instalações conjuntas (joint venture) de fabricação em Yokkaichi, na província de Mie, e Cidade de Kitakami, província de Iwate, no Japão.
A introdução da tecnologia BiCS5 compõem um portfólio completo de tecnologias 3D NAND da Western Digital para uso em dispositivos pessoais voltados para armazenamento de dados, smartphones, IoT e data centers.
